一、主旨：
本院公開徵選「非晶矽半導體低溫氧化還原製程」技術移轉廠商
二、技術說明：
本技術藉由低活化能金屬離子氧化還原法，以活性金屬離子摻混二氧化矽於低溫惰性氣氛製成非晶矽半導體顆粒。此非晶矽半導體顆粒透過氧化反應促進結構內電子移動而產生自由電子，該特性可應用於生醫、電子、光電等領域。
三、廠商資格：
須具備下列條件者：
- 依法登記且無違法紀錄。
- 具有相關技術開發經驗及能力者佳。
- 具國際合作經驗及臨床試驗經驗者佳。
- 願意長期投入研發資金者。
四、審查：
符合上述資格且有意願者，請填妥「技術移轉企劃書」(格式如附件二)之相關資料〔內含公司簡介及可闡明上述條件之資料〕，並標明廠商名稱和地址、聯絡人電話與電子郵件等資料，以郵寄正本並搭配傳真或電子郵件方式，送達國家衛生研究院技轉及育成中心高于茹小姐收（地址：「苗栗縣 350 竹南鎮科研路 35 號行政大樓 3 樓 技轉及育成中心 」，FAX: (037)583-667，E-mail：stellakao@nhri.edu.tw）。本院將進行廠商之資格審查，於必要時，本院得要求廠商派員說明，審查委員會得就廠商說明 內容，並就廠商提供資料進行評比。
